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  • 二級(jí)承修承裝承試類(lèi)資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

    二級(jí)承修承裝承試類(lèi)資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

    更新時(shí)間:2020-09-12

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    直流高壓發(fā)生器廠家 二級(jí)承修承裝承試類(lèi)資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏

  • 一級(jí)承修承裝承試類(lèi)資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

    一級(jí)承修承裝承試類(lèi)資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表

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    直流高壓發(fā)生器廠家 一級(jí)承修承裝承試類(lèi)資質(zhì)主要試驗(yàn)設(shè)備配置表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊

  • 110kV及以上電壓等級(jí)項(xiàng)目的預(yù)防性試驗(yàn)及交接驗(yàn)

    110kV及以上電壓等級(jí)項(xiàng)目的預(yù)防性試驗(yàn)及交接驗(yàn)

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    直流高壓發(fā)生器廠家 110kV及以上電壓等級(jí)項(xiàng)目的預(yù)防性試驗(yàn)及交接驗(yàn)收常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性

  • 35kV高電壓試驗(yàn)設(shè)備常用

    35kV高電壓試驗(yàn)設(shè)備常用

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    直流高壓發(fā)生器廠家 35kV高電壓試驗(yàn)設(shè)備常用配置采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接

  • 10kV配電系統(tǒng)的預(yù)防性試驗(yàn)配電施工

    10kV配電系統(tǒng)的預(yù)防性試驗(yàn)配電施工

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    直流高壓發(fā)生器廠家 10kV配電系統(tǒng)的預(yù)防性試驗(yàn)配電施工項(xiàng)目交接驗(yàn)收常用試驗(yàn)設(shè)備采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性

  • 承裝(修、試)一級(jí)試驗(yàn)設(shè)備配置明細(xì)

    承裝(修、試)一級(jí)試驗(yàn)設(shè)備配置明細(xì)

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    直流高壓發(fā)生器廠家 承裝(修、試)一級(jí)試驗(yàn)設(shè)備配置明細(xì)采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離

  • 申報(bào)承試二級(jí)資質(zhì)所需設(shè)備

    申報(bào)承試二級(jí)資質(zhì)所需設(shè)備

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    直流高壓發(fā)生器廠家 申報(bào)承試二級(jí)資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接

  • 申報(bào)承試三級(jí)資質(zhì)所需設(shè)備

    申報(bào)承試三級(jí)資質(zhì)所需設(shè)備

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    直流高壓發(fā)生器廠家 申報(bào)承試三級(jí)資質(zhì)所需設(shè)備明細(xì)表采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接

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